英飞凌携手海鹏科技，技术创新引领分布式能源未来

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　　作为功率半导体领域的佼佼者，英飞凌不断通过技术创新为市场带来高性能、高可靠性的产品。1200V CoolSiC™ MOSFET采用了先进的沟槽栅半导体工艺，不仅提升了栅极氧化层的可靠性，更在功率密度和转换效率上达到了行业领先的性能水平。这意味着在相同的尺寸下，它能够提供更为充沛的能量，为各类应用提供了更强大的动力支持。

　　而最新推出的TRENCHSTOP™ IGBT7 H7单管系列，再次向市场证明了英飞凌的技术实力。该系列产品在损耗、产品一致性以及防潮等方面均延续着英飞凌一贯的卓越表现，在确保系统可靠性的同时，极大地提升了变流器的整体效率和功率密度，一经面世即引起市场的广泛关注，迅速成为光伏和储能逆变器应用的行业新宠。

　　得益于英飞凌1200V CoolSiC™ MOSFET以及TRENCHSTOP™ IGBT7系列功率半导体器件的优越性能和先进工艺，海鹏科技全新一代HPT Pro 3~15kW三相并网逆变器系列产品，在继续保持产品高可靠性的基础上，最大功率从12kW升级到15kW的同时，实现了体积和重量的显著优化，体积减少11%，重量减轻15%，大幅提升了产品的功率密度。同时，英飞凌功率器件出色的高效能量转换，以及低损耗的特性为逆变器的高效运行提供了有力保障，不仅助力HPT Pro最大转换效率提升至98.6%，达到行业顶尖水平，并且实现了在更小尺寸上更高的功率容量和更大的PV电流处理能力，更好地满足了市场对高功率密度逆变器的迫切需求。

　　英飞凌科技高级副总裁，工业与基础设施业务大中华区负责人于代辉先生表示：

　　“英飞凌致力于通过技术创新，为行业带来更多高性能，高可靠性的创新产品，为相关行业的发展注入源源不断的新动力。与海鹏科技的合作，是应用技术和产品创新的有效结合，通过与优秀伙伴的紧密合作，英飞凌能够更好地理解市场需求，将创新技术转化为实际应用，为客户提供更为完善的解决方案，共同推动相关行业的持续发展和迭代升级。”

　　海鹏科技CEO周辉杰和CTO廖小俊表示：

　　“英飞凌是功率半导体领域的引领者，更是海鹏科技长期以来值得信赖与尊敬的合作伙伴。一直以来，依托英飞凌先进的产品解决方案与技术实力，尤其是其业界领先的功率半导体器件，我们产品的性能、效率、可靠性得到充分的保证，技术想象力也得到了充分的发挥，走在应用技术的最前沿。这种卓越合作不仅推动了我们的科技创新，也为客户提供了更优越的解决方案。我们期待未来与英飞凌一起，继续在清洁能源技术革新的道路上探索新的可能。”